投资要点：
　　闪速存储器已经成为主流存储器之一，NANDFlash占据主要位置。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】闪速存储器是一种电子式可清除程序化只读存储器，其支持多次的擦除及写入。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）主要应用于一般性数据存储，在计算机及电子产品中被广泛使用。根据市场销售规模，闪速存储器销售占比约为45%，成为继DRAM外第二大储存器产品，是主流存储器之一。闪速存储器中，NANDFlash产品销售额在存储器中占比约为42%，成为闪速存储器中占比最大的细分产品。NANDFlash作为高数据存储密度闪存器，被广泛应用于各种数字终端设备。其中，手机和固态硬盘（SSD）是NAND闪存应用份额占比最高的两个领域，分别约为48%和43%。
　　3DNAND具有性能及成本优势。由于集成电路发展受到摩尔定律约束，而NANDFlash作为集成电路的一种在2D层面发展受到了制约。虽然制程提升使得Planar NAND在1x/1y /1z nm上得到一定发展，但未能有效突破发展瓶颈且面临一系列挑战。而3DNAND技术使得NANDFlash进入到一个全新发展阶段，突破原有需要不断对晶体进行微缩而达到扩容的瓶颈，通过对晶体进行堆叠而实现单体容量提升。此外，3D技术还能降低单位容量成本。3DNAND技术使得NANDFlash发展空间得到提高。
　　国际原厂引领3DNAND技术发展，国产替代需求在扩大。在NANDFlash市场中，三星、东芝存储、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家原厂长期垄断着全球99%以上的份额。此外，国际原厂持续引领着3DNAND技术研发，形成了较为厚实的技术壁垒。目前，我国智能手机出货量占全球市场份额超过20%，随着国内品牌在性能等方面升级，将提高品牌知名度，销售量将有望提升。在服务器领域，我国厂商在市占率具有一定优势的情况下，叠加国内IDC产业加速发展，出货量有望提升。手机和数据中心服务器作为NANDFlash产品主要应用方向之二，其出货量将对NANDFlash产生影响。所以，我国相关厂商对NANDFlash需求有不断扩张的趋势，基于产能保障等方面考虑形成国产替代需求。
　　长江存储有望打破市场垄断。长江存储是我国3DNAND技术上的龙头企业，其基于Xtacking构架的64层产品已经量产。虽然国际领先原厂已经量产96层3DNAND产品并向下一代产品进行研发，而长江存储仅有64层产品，但我国与国外领先原厂的距离已经在逐步缩小。此外，长江存储已推出Xtacking2.0且直指128层3DNAND技术，这将有助于加快对先进技术的追赶。
　　供求关系持续改善，价格有望持续向好。5G在全球范围内均掀起热潮，无论是网络建设，还是下游应用都成为市场焦点。在此背景下，5G手机换机潮和IDC建设升级所形成的需求端具有较高的确定性。需求增长将改善供求关系，在NANDFlash价格企稳回升后有望持续向好。
　　投资建议：维持推荐评级。虽然六大巨头占领着NANDFlash市场99%以上市场份额，但长江存储作为后来者有望打破垄断的局面。设备和材料是一切生产的基础，在国产替代需求不断上升的情况下，对长江存储供应商将产生利好，可关注半导体设备及材料相关企业:北方华创、精测电子、雅克科技、晶瑞股份。
　　风险提示：5G建设不及预期；IDC推广不及预期；手机出货量不及预期；疫情控制不及预期；国家政策改变等。