我们每周对于半导体行业的思考进行梳理，从产业链上下游的交叉验证给予我们从多维度看待行业的视角和观点，并从中提炼出最契合投资主线的逻辑和判断。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
　　回归到基本面的本源，从中长期维度上，扩张半导体行业成长的边界因子依然存在，下游应用端以5G/新能源汽车/云服务器为主线，具化到中国大陆地区，我们认为“国产替代”是当下时点的板块逻辑，“国产替代”下的“成长性”优于“周期性”考虑。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）
　　GaN是一种新型半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。目前GaN材料主要应用与射频与功率器件领域，随着5G的发展，射频器件需求增大，氮化镓市场随之扩张。在功率器件领域，Yole预测氮化镓2019-2022年市场CAGR达到91%。目前，GaN应用最广泛的是充电器。采用了GaN元件的充电器体积小、重量轻，在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势。
　　GaN充电器主要由主控芯片和协议芯片组成，主控芯片由GaNMOS管和电源驱动芯片封装一起而成。GaN器件是高电子迁移率晶体管（HEMT），其提供比硅和SiC器件更高的电子速度。高迁移率源于二维电子气在组分材料之间的界面处形成的方式。这种气体中的载流子比硅等材料更自由地移动。因此，GaN晶体管更适合用于高频功率开关电路，可以提供更高的效率，同时减少电容器和电感器所需的电路板空间。GaN晶体管分为耗尽型和增强型两种。对于耗尽型器件，在启动时必须首先加一个负压，使器件截止，以避免在启动过程中产生短路电流，GaN器件通常被封装在一个带有低电压的硅MOSFET的级联结构中。增强型器件的常态是关闭的，当栅极上没有偏置电压时，源漏之间不会有电流通过。GaNMoS领域，建议关注：闻泰科技/三安光电/耐威科技/华润微/士兰微
　　驱动器件必须以足够高的速度对栅极上的电容进行充电，使晶体管开启，同时不会引起振铃和过冲。在关断模式下，它能够快速的对栅极电容进行放电，不引起振铃或过冲。决定GaN驱动器件的主要参数有三个：最大栅极电压，栅极阈值电压和体二极管压降。增强型GaN器件的栅源电压是6V，大约是MOSFET的一半，简化了产生所需开关电压和电流的挑战。栅极电压也比大多数功率MOSFET低，同时具有较低的负温度系数，这简化了驱动补偿问题。体二极管的正向电压降，是器件结构的固有属性，GaN器件比同等的硅MOSFET的电压要高。驱动器件领域，建议关注：富满电子/圣邦股份
　　快充充电器中的协议芯片是根据不同协议支持的快充充电方案设计的，市面上主流的快充协议主要有：USBPD、FCP/SCP、VOOC等。UCBPD快充协议是目前主流的快充协议之一，是由USB-IF组织制定的一种快速充电规范，目前3.0版本吸取了市面上所有快充协议的精华，未来有望成为快充协议的主流。华为FCP/SCP协议和OPPOVOOC协议也在快充市场占领一份高地，大大提升了用户充电体验。在协议芯片领域，建议关注：瑞芯微
　　中芯国际19Q4业绩发布，营收8.39亿，环比上升2.8%，同比上升6.6%。若将前期业绩去除阿韦扎诺晶圆厂营收，则环比上升4.6%，同比上升13.8%，晶圆出货量的增加使营收增长。毛利率为23.8%，环比增长14.4%，同比增长40.0%，产能利用率的提高带动毛利率进一步提升。14nm工艺在四季度营收占比1%，在先进制程上逐步缩小与世界代工龙头的差距。20Q1营收预计环比增长0%-2%（即8.39-8.59亿美元），毛利率为21%-23%。20Q1指引超出预期，超越了半导体行业一季度的季节性疲软。随着14nm产能的进一步扩张和良率的提升，预计给20Q1业绩的增长提供强劲动能。
　　风险提示：中美贸易战不确定性；5G发展不及预期；宏观经济下行从而下游需求疲软