业绩符合我们的预期:2007 年公司实现营业收入115,109.08 万元,比上年同期增长26.94%;实现营业利润18,776.63 万元,比上年同期增长了27.53%;实现归属于上市公司股东的净利润15,818.26 万元,比上年同期增长31.19%;实现基本每股收益0.67 元,扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为14.95%。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
毛利率小幅下跌:公司2007 年的毛利率为20.27%,比上年同期下降了1.24 个百分点。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)2007年,国际经济增长的放缓影响了整个半导体行业的发展。我国半导体企业主要生产低端产品,技术含量较低,竞争激烈,产品价格出现明显下降。但由于太阳能电池对单晶硅的需求快速增长,单晶硅的价格大幅上涨,提高了公司的原材料成本。针对原材料价格的上涨,公司通过与供应商多年良好的合作关系,积极争取较低的单晶价格;积极关注铜价的变化,降低框架的采购成本;通过加强谈判,引进其他供应商的竞争,降低化剂、塑封料等材料的采购成本,以抵消单晶价格上涨的成本压力。另外,公司重点发展芯片生产,避免与其他后道封装企业进行恶性价格竞争,保证了产品较高的利润率。同时加快中高端产品的研发过程,加大具有自主知识产权的新产品的生产规模。由于公司产品的技术附加值的增加很大程度上减少了原材料价格上涨对公司盈利能力的影响。
通过技术创新优化产品结构:公司以市场需求为导向,通过技术创新不断优化产品结构。公司顺应功率器件产品向节能高效型升级换代的要求,大力开发MOSFET 系列产品,目前已经研发成功三种规格六类型号的MOSFET 产品,性能达到国际同行业先进水平。公司开发的三个型号的可控硅产品也已经具备了外部送样条件。在电光源领域,公司开发了高压产品,并在07 年上半年进行市场推广,目前主要客户每月销售量已达十几万只,是未来新的增长点。另外,肖特基产品技术成熟,产品实现了系列化,有广阔的市场前景。公司在2008 年将研发VDMOS、IGBT 和PIC 等新型功率半导体器件产品,并开发肖特基特殊功率器件、VDMOS 功率器件、软快恢复二极管系列、双极集成电路等高端产品。
进一步扩大生产规模。2007 年,公司通过对原有生产场地的规划与重新布局,添置新设备,材料片从月产9 万片上量至月产12 万片,2007 年公司芯片加工能力达到年产220 余万片。在芯片生产的基础上,公司加强后部封装工序规划,无锡吉华电子有限责任公司已于2006