受此前半导体下行周期的影响，存储芯片营收自2018Q3持续下滑，但进入2019Q3情况开始好转，DRAM与NAND 2019Q3总产值均提升，存储价格也有触底回升的趋势。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】我们在历史维度上对存储价格进行纵向分析，剖析存储每次涨价的逻辑，借以分析本次存储的价格变化趋势。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）
　　涨价的原因可以归结为四个字：供需失配。论到存储的本质，需求端理论上是无限增长的，下游产品的迭代会形成需求动能，供给端则会因为厂商的产能调整而出现偏差，在需求和供给增长速度不完全匹配的情况下，就会触发存储价格的变化。
　　DRAM：第一轮2012Q4-2013Q3涨价的原因是Elpida公司被美国Micron收购，台系DRAM厂也将于2013年上半年全部退出传统DRAM市场，DRAM供货商缩减资本设备支出，推动了产品价格的上扬。第二轮2016Q3-2017Q3涨价的原因是原厂皆以提高新制程比例增加产出为主，投资收缩带来的产能驱动供给平缓造成供需缺口。而需求端手机及服务器的搭载量增加，需求大于供给造成价格上涨。如果根据历史需求平衡率来判断，可以看到2019年下半年开始需求曲线与供给曲线出现剪刀差趋势，需求平衡率开始下降，这意味着DRAM价格将出现回升趋势。
　　NAND：第一轮（2016Q3-2017Q3）本阶段是NANDFlash的制程转化年，Flash原厂从平面NAND转向3DNAND。在制程转化过程中，产能爬坡和良率提升带来的输出供给不足触发供给紧张引发价格上涨。本轮价格已经在11月底开始呈现，涨价的主要原因是5G网络的发展，加速数据中心的快速成长，并极大推动存储配置需求的增加；手机市场瓜分货源，手机厂商为了抢占5G先机，已纷纷下单稳固NANDFlash货源；原厂正在扩大PCOEM市场布局，包括高、中、低三个不同档次的SSD市场都有涉及，原厂确保数据中心、PC和手机市场需求，使得渠道市场资源供应紧张。
　　Nor Flash：第一轮（2017Q1-2017Q4）因为裸晶圆供货紧张，Nor Flash厂商拿不到足够晶圆（主要是IDM)，且晶圆涨价导致成本上涨，各大储存厂商把重心转移至NAND和DRAM，导致供给减少，但需求又受到智能手机AMOLED、物联网等的驱动，需求错配造成Nor Flash价格上涨。最近NorFlash涨价即将开启，NORFlash在经过18的低谷后，19年市场快速回温。目前NORFlash原厂及代理商去库存已至低位，产能较为吃紧，下游应用TWS二级需求强劲，整个NORFlash市场行情正在反弹，涨价趋势较为明显。
　　投资建议：根据预测的存储芯片涨价趋势，建议关注：兆易创新/北京君正/澜起科技
　　风险提示：中美贸易战的不确定性、宏观经济下行从而下游需求疲软、5G发展不及预期、行业发展不及预期