据DRAMeXchange  报道，长江存储器基地一期已实现量产，一季度产能达到5000  片/月，今年有3D  NAND  的大规模生产计划，表明长江存储正从研发走向量产产能扩张。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】从中国国际招标网数据显示，2019  年国产设备在长江存储的中标数量大幅增加，尤其是中微的刻蚀设备、盛美的清洗设备、北方华创的热处理和PVD  来自长江存储的订单显著增加，而沈阳拓荆的CVD、华海清科的CMP  也已首次从长江存储获得订单。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）
        长江存储的工艺设备采购计划集中释放，产能将快速扩张。
        DRAMeXchange  显示，长江存储项目总投资240  亿美元，将新建月产能为30  万片的3D  Nand  生产线，相当于1  万片/月产能对应投资8  亿美元。
        长江存储武汉基地一期，已实现32  层64Gb  3D  NAND  Flash  小规模量产，今年第一季度产能达到5000  片/月；
        今年以来，长江存储设备采购数量和密集度都很大，国产3D  NAND  将从研发走向大规模生产。
        长江存储对CVD、刻蚀设备的采购数量最多，比例明显增加。
        根据中国国际招标网数据统计，截至目前，该项目工艺设备已采购1166台工艺设备，包括光刻机19  台，刻蚀设备165  台，CVD260  台，清洗设备67  台、离子注入机26  台，PVD17  台，CMP34  台，量测设备432  台，还有热处理设备91  台，涂胶显影设备26  台、去胶设备24  台，镀铜设备5  台。与华力二期相比，CVD、刻蚀设备的采购数量比例明显增加。
        总体国产设备中标的数量占比8%，剔除量测口径下国产化率12%，与华力二期基本相当，但低于华虹无锡项目的设备国产化率。
        该产线总体国产设备中标91  台，国产化率为8%，不包含量测设备口径下的国产化率为12%，相同口径下华力二期的国产化率依次是8%、12.5%，华虹无锡项目国产化率依次是14%、21%。
        各类关键工艺设备国产化差异大，CMP、PVD、刻蚀、清洗设备、热处理的国产化率处于10%-30%，而CVD  国产化率仅1%，量测、光刻、离子注入机、涂胶显影、镀铜设备全部依赖进口。
        CMP、PVD、刻蚀、清洗设备、热处理等的国产化率依次是12%、18%、18%、22%、30%，去胶设备国产化率38%（由Mattson  供应）；
        CVD  设备：招标260  台，国产设备沈阳拓荆中标3  台，国产化率仅为1%；离子注入机、涂胶显影、镀铜设备、量测、光刻尚无国产设备进入该产线，100%依赖于进口品牌。
        北方华创、中微、盛美引领工艺设备国产化，拓荆、华海清科也将进入长江存储产线。
        长江存储产线上，北方华创累计中标33  台工艺设备，中微半导体中标21  台刻蚀设备，盛美中标13  台清洗设备，华海清科中标4  台CMP  设备，沈阳拓荆中标3  台CVD  设备，Mattson  中标7  台去胶设备、3  台退火设备和1  台刻蚀设备，合计91  台设备。
        投资建议：继续看好半导体设备行业
        从长江存储设备采购数据看，CVD、刻蚀设备弹性大，成长性好于其他设备类别，且中微、拓荆、北方华创显著受益，盛美清洗设备也获得重复批量订单，继续看好半导体设备行业，强烈推荐北方华创、精测电子、晶盛机电，建议关注盛美半导体、长川科技。
        风险因素：中国大陆存储厂商投产延缓全球存储芯片周期复苏；中美贸易战继续影响全球经济健康发展。