一、事件概述
11 月14 日,据中时电子报,长江存储32 层3D NAND 存储芯片将于2018 年底前投产,采用Xtacking 架构64 层NAND 已经送样测试,预计最快将在19Q3 投产。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
二、分析与判断
长江存储32 层3D 闪存投产将打破存储器国际垄断,填补国内市场空白
据长江存储官网,国家存储基地项目于4 月11 日启动生产机台安装并为量产做准备,当时预计32 层3D 闪存芯片将于年内量产。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)长江存储研发出国内首批完全自主知识产权的32 层3D 闪存,一期项目前期在设备进厂、调试、试产方面进展顺利,将进入投产环节,有望打破3D 闪存芯片国际垄断,填补国内市场空白。据官网,长江存储于8 月底召开二期扩产项目推进会,二期规划投资17.8 亿美元,将建设自主NOR 闪存、微控制器和三维特种工艺三大平台。
存储芯片国产替代空间大,长江存储投产将成为国内半导体崛起标志之一
中国市场需求约占全球存储芯片市场的55%,目前国内几乎完全依赖进口。随着云计算、物联网和数据中心的发展,存储芯片在半导体中的地位和比重将持续提升。
长江存储投产将成为国内半导体行业崛起的标志性事件之一,将鼓励国家和社会资本继续加大力度扶持半导体,芯片国产化率有望持续提升。
国内存储芯片、代工厂等新产能持续开出将带动上游材料旺盛需求
根据SEMI 的统计数据,全球将于2017-2020 年间投产62 座半导体晶圆厂,其中26 座设于中国大陆,占全球总数的42%。近期华力微二期12 寸线投产,存储芯片、代工厂等新产能持续开出将带动上游硅片、电子化学品、靶材等半导体靶材需求。
三、投资建议
建议关注:存储芯片,兆易创新;功率半导体,扬杰科技、韦尔股份;半导体材料,上海新阳、江丰电子。
四、风险提示:
1、存储芯片投产进度不及预期;2、关键技术突破不及预期;3、行业景气度下滑。