一、事件概述
        近期，紫光集团官网发布：由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目（以下简称“项目”），在武汉东湖高新区正式动工建设。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】该项目总投资240  亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968  亩，将建设3  座全球单座洁净面积最大的3D  NAND  Flash  FAB  厂房、1  座总部研发大楼和其他若干配套建筑，项目一期计划2018  年建成投产，2020  年完成整个项目，总产能将达到30  万片/月，年产值将超过100  亿美元。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）
        二、分析与判断
        国内存储芯片产业取得重大突破，打造IDM  模式，将实现进口替代1、存储芯片是集成电路的三大品类之一，广泛应用于内存、U  盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，其销售额占据整个芯片产业的比重超过25%，其技术能充分反映一个国家或地区的半导体发展水平。根据赛迪顾问的数据，2014  年中国存储芯片市场规模达到2465.5  亿元，占国内集成电路市场份额的23.7%。国内存储芯片几乎100%来自进口，每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。根据Trendforce  的数据，2016  年Q3  三星电子在全球DRAM  存储器领域的份额高达50.2%，SK  海力士占24.8%的份额；三星电子在全球NAND  FLASH领域的市场份额为36.6%，SK  海力士占10.4%的份额。
        2、项目将以存储芯片制造环节为突破口，形成涵盖存储器芯片设计、制造、封装测试、技术研发等全产业链的IDM  模式，为国内电子信息产业的转型升级提供有效支撑。我们认为，项目的启动将实现国产存储器芯片从0  到1  的突破，填补国内存储器产业的空白，表明国家集成电路产业发展战略在存储器芯片领域落地，将有效保障国家信息安全。
        项目起点高、投资力度大、资源高度集中，有望突破技术瓶颈并实现量产1、从日、韩半导体发展历程上看，日本政府在1976~1979  年组织了5  家最大的半导体制造商形成集成电路研究团队，并投入大量资金和人力，于1980  年研制出64K  DRAM  存储器（比美国早半年）和256K  DRAM  存储器（比美国早2  年）；20  世纪80  年代末的韩国政府以存储器作为突破口，形成“官民一体”的DRAM存储器研发小组，投入大量资源突破存储器技术，1994  年三星电子在全球率先推出256M  DRAM，随后韩国半导体产业便超越日本成为世界第一。
        2、项目瞄准存储器新兴领域中的3D  NAND  Flash，通过与飞索半导体合作、集中资源进行先进存储器技术攻关，将有望加速突破技术瓶颈。3D  NAND  FLASH作为一种新兴的存储器技术，其演进逻辑是依靠三维芯片堆叠而不仅是工艺制程缩小，相比2D  NAND  FLASH  拥有体积更小、容量更大、成本更低等优势。我们认为，项目以3D  NAND  Flash  存储器作为突破口，起点高、投资力度大，在国家的大力支持下，有望突破存储器相关的技术瓶颈并实现量产。