Memory  产业格局巨变。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】紫光股份间接注入闪迪和同方国芯800亿元定增募投Memory  产业。http://www.hibor.com.cn（慧博投研资讯）两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NAND  Flash  产能，未来再有望进入DRAM  领域，国内Memory  产业格局发生巨变。
        中国切入Memory  优势有三。优势一，进口替代空间大，成长性好。2014  年国内Memory  规模520  亿美元，自给率几乎为0。同时2012-2018  年DRAM  和NAND  Flash  复合增长率5.5%和11.0%  ，高于半导体行业平均增速4.6%。优势二，切入Memory门槛低，主要来自标准化（下游转换成本低）、制程要求低（避开中国软肋）、设计难度低。优势三，国内产业政策扶持和国内制造优势。
        第一步NAND  Flash，第二步DRAM。国内切入Memory  领域分两步走，第一步进入NAND  Flash  领域，15-18  年全球复合增长20%，2018  年中国市场容量180  亿美元，并有望有3D  NAND  实现弯道超车。第二步有望进入DRAM  领域，15-18  年复合增长12.1%，2018  年中国市场容量210  亿美元。不过产业巨头在扩产和提高技术进入门槛，有意减缓中国进入脚步。
        行业给予“推荐”评级。Memory  肩负中国集成电路在2015-2020阶段自给率从10%提升至40%的历史使命，在产业转移和政策支持的背景下，未来行业性的投资机会将持续。其中上游看好上海新阳、中环股份、七星电子，中游看好同方国芯，下游看好太极实业和长电科技。
        风险提示：Memory  进口替代进程不及预计和行业竞争风险。