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LED行业研究报告:国金证券-LED行业2013年下半年报告:宽禁带半导体,军事和节能产业的核心-131013

行业名称: LED行业 股票代码: 分享时间:2013-10-14 15:20:27
研报栏目: 行业分析 研报类型: (PDF) 研报作者: 张帅
研报出处: 国金证券 研报页数: 20 页 推荐评级: 增持
研报大小: 1,481 KB 分享者: huy****533 我要报错
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【研究报告内容摘要】

行业观点
        宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si  和GaAs  材料,以GaN、SiC  为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电子器件的高压、高频、高功率工作性能,在军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。http://www.hibor.com.cn【慧博投研资讯】
        LED  之外,宽禁带半导体功率器件开始崭露头角:目前GaN  和SiC  最大的应用领域为LED  行业,形成了100  亿美元的市场;除此之外,近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始走向商业化,我们认为未来两年GaN  和SiC  功率器件市场将开始快速发展,潜在市场容量超过300  亿美元,未来将在军事设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si  和GaAs  功率器件;
        GaN  是微波器件的首选,在军事领域将大展拳脚:GaN  适用于高频大功率应用,是微波器件最为理想的材料,其功率密度是现有GaAs  器件的10倍,将成为下一代雷达技术的标准,美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达开始换装GaN  产品,军用市场将在未来几年推动GaN  微波器件的快速发展;
        电力电子领域宽禁带半导体能够降低50%的电力损耗,SiC  适用于1200V以上高压应用,GaN  适用于中低压高频应用:
        SiC  单晶制备工艺相对成熟,同质外延易于制备纵向结构的器件提高耐压性能,商业化的SiC  器件耐压在600~1200V,适用于风力发电、铁路机车、电网等大功率应用;
        GaN  异质外延缺陷密度较大,目前只能制备横向结构的器件,耐压性能提升较为困难,但是GaN-on-Si  成本较低,加之LED  行业存在大量MOCVD  外延设备可以共用,未来有望快速降低成本,广泛应用于UPS、光伏逆变器、电动汽车等领域;
        民用领域商业化加速,国内企业开始切入:2013  PCIM  和ICSCRM  数家企业推出6  寸SiC  晶圆、SiC  功率器件和600V  GaN  功率器件产品,2014  年开始都将步入量产阶段,显示出SiC  和GaN  功率器件在民用市场的商业化进程开始加速,而国内企业也开始切入这一领域;
        SiC  的难点在于单晶制备,国内从事SiC  晶圆生产的主要包括山东天岳和天富热电,山东天岳已开始对外销售2~4  英寸SiC  晶圆,6  寸晶圆将于2015  年开始量产;
        GaN  的难点在于外延生长,LED  龙头三安光电已经完成GaNHEMT  功率器件的试制,进入样品测试阶段。http://www.hibor.com.cn(慧博投研资讯)GaN  功率元器件的外延制程同LED  相近,并且对外延品质要求更高,我们认为LED芯片龙头企业如三安光电、德豪润达等凭借在LED  外延方面的技术领先,未来在GaN  功率器件领域也将占得一席之地,打开新的利润增长空间;    
        

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